无胺CMP后组合物及其使用方法

本发明涉及从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的清洁组合物和方法。所述清洁组合物基本不含胺和含铵化合物如季铵碱。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不会损害低-k介电材料或铜互连材料。