混合存储器件及其控制方法、制备方法

本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括：铁电存储单元；及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元；混合存储器件在两种存储模式间切换：在第一种存储模式中，阻变存储单元作为存储模块，铁电存储单元作为选通模块；在第二种存储模式中，阻变存储单元处于低阻态，铁电存储单元作为存储模块。本发明综合利用了FeRAM存储方式和RRAM存储方式的优点，在单块芯片上实现了两种不同的存储方式，从而可以满足不同方式的存储需要。