发光二极管的制备方法

本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层及第二半导体层，所述活性层与第一半导体层接触表面与所述多个三维纳米结构啮合；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的部分表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。