发光二极管

本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一碳纳米管层设置在所述基底的外延生长面；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面一侧形成一半导体外延层,且所述碳纳米管层的一部分被所述半导体外延层覆盖，另一部分暴露；一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极与所述碳纳米管层暴露的部分电连接。