二极管箝位式三电平电压源换流器损耗分析方法

本发明是一种二极管箝位式三电平电压源换流器(Voltage Source Converter,VSC)损耗分析方法。包括有如下步骤：1）分析二极管箝位式三电平VSC的导通规律，建立绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的多项式损耗模型；2）将IGBT的导通压降和开关损耗表示成电流的二次多项式；3）采用多项式拟合的方法来计算器件的损耗。本发明采用多项式拟合的方法简单快速地计算损耗，在此基础上，分析损耗随着功率因数和调制度的变化情况，和不同的运行点各个器件的损耗分布情况，给器件参数的选择和热设计提供了依据，具有较大的实用价值。