失效
硅纳米结构的制备方法
孙
孙海林机构 暂无
姜
姜开利机构 暂无
李
李群庆机构 暂无
范
范守善机构 暂无
摘要
一种硅纳米结构的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一生长装置,且该生长装置包括一加热炉以及一反应室;提供一生长基底,并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内;向反应室通入流量比10∶1~1∶10的硅源气体与氢气,并加热至500~1100℃,生长硅纳米结构。
一种硅纳米结构的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一生长装置,且该生长装置包括一加热炉以及一反应室;提供一生长基底,并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内;向反应室通入流量比10∶1~1∶10的硅源气体与氢气,并加热至500~1100℃,生长硅纳米结构。