D50在1微米以下的高导电银包铜粉体

需求的背景和应用场景

在当今高科技产业中，高导电银包铜粉体作为先进材料的重要组成部分，广泛应用于电子封装、导电浆料、电磁屏蔽以及新能源等领域。特别是在精细化工艺要求日益提高的背景下，对于粉体的粒径、分散性、导电性以及稳定性等指标提出了更为严苛的要求。然而，目前国内银包铜粉体技术在包覆致密性、颗粒分散性和导电性方面仍存在明显不足，难以满足高端应用领域的需求。例如，在微电子封装领域，粉体的粒径和分散性直接影响封装材料的性能和可靠性；在导电浆料制备中，高导电性和稳定性是确保浆料品质的关键。因此，研发D50在1微米以下的高导电银包铜粉体，对于提升我国先进材料产业的技术水平和国际竞争力具有重要意义。

要解决的关键技术问题

针对当前银包铜粉体技术存在的问题，本技术需求旨在解决以下关键技术问题：

1. 高稳定性与高分散性：通过优化包覆工艺和表面处理技术，实现粉体在25℃下粘度达到1000-2000cp，确保粉体在储存和使用过程中保持良好的分散状态。
2. 精细粒径控制：采用先进的制备技术，确保粉体细度版达到3微米以下，且D50<1微米，D90<1.5微米，D100<2微米，满足精细化工艺要求。
3. 优异导电性能：通过调整包覆层结构和厚度，提高粉体的导电性，使130℃体电阻率小于100微欧厘米，达到同尺寸银粉导电性的3倍以内。
4. 良好稳定性：一方面，通过表面改性技术提高粉体的抗氧化性能，确保常温储存稳定性；另一方面，优化生产工艺，减小批次间差异，提高产品稳定性。
5. 成本控制：在保证产品性能的前提下，通过优化原料配比和生产工艺，实现具有国际竞争力的价格，即国际银价+铜价+500以内每公斤的加工费。

效果要求

本技术需求预期达到以下效果：

• 技术突破：成功研发出D50在1微米以下的高导电银包铜粉体，填补国内相关技术领域的空白。
• 性能优越：产品各项技术指标均达到或超越国际先进水平，满足高端应用领域对粉体材料的高要求。
• 成本优势：通过优化生产工艺和成本控制，使产品价格具有国际竞争力，为下游用户提供性价比更高的产品选择。
• 创新引领：推动银包铜粉体技术的创新与发展，引领行业技术进步，提升我国先进材料产业的整体竞争力。
• 市场应用：广泛应用于电子封装、导电浆料、电磁屏蔽等领域，助力相关产业的技术升级和产品创新。