在电子产品制造领域,高阶电性材料(如高速覆铜板)的应用日益广泛,特别是在要求高性能、高可靠性的通信设备、服务器及消费电子产品中。这些高阶产品对电性能有着极为严格的要求,往往需要采用含有大量双键结构的树脂(例如聚苯氧化物PPO、三烯丙基异氰脲酸酯TAIC等)以满足其电性需求。然而,这类树脂的极性极低,与铜箔的结合能力较弱。同时,为了优化信号传输性能和减少信号损失,常采用低粗糙度的铜箔,这进一步降低了光板与铜箔之间的结合力,导致剥离强度不足(当前HVLP铜箔的HOZ剥离强度仅为2.5lb/in)。这一技术难题不仅影响了产品的可靠性和使用寿命,还限制了高阶电性材料在更广泛领域的应用。因此,提升高阶电性材料的剥离强度成为行业亟待解决的关键问题。
本技术需求旨在征集能够有效提升高阶电性材料(M6以上等级的高速覆铜板)剥离强度的方法,具体要求包括:
所征集的技术方案应能够实现以下效果:
高阶材料剥离强度改善(M6以上等级的高速覆铜板):高阶产品电性需求高,会使用到大量双键结构的树脂(比如PPO、TAIC等),因此极性非常低,再加上使用低粗糙度的铜箔,导致光板与铜箔结合力差,剥离强度很低(HVLP铜箔 HOZ剥离强度现有水平2.5lb/in),征集能协助解决提升至3lb/in以上的方法。
