高端高频超低轮廓铜箔HVLP先进工艺技术研究

需求的背景和应用场景

随着5G通信技术的广泛应用及未来6G通信技术的预研，高频高速电路用材料的需求日益增长，尤其是在对信号完整性要求极高的场景下，如5G基站、高速数字信号传输、射频－微波通信等领域。超低损耗等级的铜箔作为这些高频高速电路用覆铜板、多层板及射频－微波基板的关键材料，其性能直接决定了电路的信号传输质量和效率。目前，日本企业如三井金属、古河电工、日进、福田金属等，在高端高频超低轮廓铜箔（HVLP）技术方面处于领先地位，已能生产出Rz≤1.0um的HVLP3型铜箔，几乎垄断了高端市场。相比之下，本公司仅能提供RZ≤2.0的HVLP1铜箔和RZ≤1.5的HVLP2铜箔，无法满足市场对更高性能铜箔的迫切需求。因此，开展高端高频超低轮廓铜箔HVLP先进工艺技术研究，对于打破日本企业的技术垄断，提升我国在高频高速电路材料领域的自主创新能力，具有重要意义。

要解决的关键技术问题

本技术需求旨在通过联合攻关，解决以下关键技术问题：

1. 超低轮廓控制技术：研究如何进一步降低铜箔的表面粗糙度（Rz），使其达到或优于Rz≤0.5um的水平，以满足高端高频电路对信号完整性的极高要求。
2. 高强度与延展性平衡：在降低铜箔轮廓的同时，确保铜箔具有足够的抗拉强度（≥310MPa）和延伸率（≥9%），以保证其在加工和使用过程中的稳定性和可靠性。
3. 高剥离强度技术：提高铜箔与基材（如碳氢树脂）之间的剥离强度（≥0.6kg/cm），确保铜箔在复杂电路结构中的良好附着性和长期稳定性。
4. 低PIM（Polymer Inclusion Membrane）性控制：优化铜箔的制备工艺，减少或消除聚合物夹杂物，以降低PIM对高频电路性能的影响，满足高频CCL（Copper Clad Laminate）的性能要求。

效果要求

通过实施本技术需求，预期达到以下效果：

1. 技术突破：成功研发出Rz≤0.5um的高端高频超低轮廓铜箔HVLP3型产品，打破日本企业的技术垄断，提升我国在该领域的国际竞争力。
2. 性能提升：新研发的铜箔在抗拉强度、延伸率、剥离强度等关键性能指标上达到或超越国际先进水平，满足5G高端应用及未来6G应用对高频高速电路材料的严苛要求。
3. 市场拓展：通过技术创新，提高公司产品的市场占有率，特别是在中国内地的市场份额，从当前的0.5%提升至具有竞争力的水平，助力中国电子信息产业的升级换代。
4. 产业升级：推动国内相关产业链的协同发展，促进先进材料领域的技术进步和产业升级，为我国的电子信息产业提供强有力的材料支撑。