建立1200V/2000VSiCMOS和SBD的产品平台

需求的背景和应用场景

在智能家电行业，随着消费者对产品能效、可靠性和智能化水平的不断提升，对核心元器件的性能要求也日益严格。特别是功率半导体器件，作为智能家电中实现电能转换与控制的关键组件，其性能直接关系到产品的整体效率和稳定性。目前，市场上对于高压、高效率、高可靠性的功率半导体器件需求迫切，尤其是在1200V和2000V电压等级下，SiCMOS（硅基碳化硅金属氧化物半导体）和SBD（肖特基势垒二极管）因其优异的开关性能、低损耗和高耐压特性，成为智能家电领域的理想选择。然而，国内在高端功率半导体器件的研发与生产方面，相较于国际领先水平仍存在一定的差距，亟需建立自主可控的产品平台，以满足日益增长的市场需求，并推动智能家电行业的持续升级与创新。本技术需求的提出，正是为了应对这一挑战，通过建立1200V/2000V SiCMOS和SBD的产品平台，为智能家电提供核心功率半导体解决方案，解决行业痛点，提升产品竞争力。

要解决的关键技术问题

1. 芯片设计与优化：针对1200V/2000V的高压应用环境，需设计具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性的SiCMOS芯片，以及低反向漏电流、高耐压的SBD芯片。这要求在设计阶段充分考虑器件的物理结构、掺杂浓度分布、栅极氧化层厚度等关键因素，通过仿真与实验验证，不断优化设计参数，以达到最佳的性能指标。
2. 工艺流程开发：建立适合高压SiCMOS和SBD生产的工艺流程，包括晶圆处理、光刻、离子注入、退火、金属化等关键步骤。需要解决高压器件制造过程中的热管理、刻蚀精度控制、表面钝化等技术难题，确保芯片的高良率和长期可靠性。
3. 参数控制与测试：制定严格的芯片面积控制策略，以及RSp（比导通电阻）良率等关键参数的测试标准。通过先进的测试设备和方法，对生产出的芯片进行全面筛选和评估，确保产品性能的一致性和稳定性，满足市场应用需求。

效果要求

1. 性能竞争力：所开发的1200V/2000V SiCMOS和SBD芯片，在芯片面积、RSp良率等关键参数上需达到或超越国际同类产品水平，确保产品的高性价比和竞争力。
2. 创新性与可靠性：通过技术创新，实现产品结构的优化和性能的提升，同时保证产品的高可靠性和长寿命，满足智能家电领域对功率半导体器件的严苛要求。
3. 产业化能力：建立的产品平台应具备快速响应市场需求、灵活调整产能的能力，为后续的规模化生产和市场拓展奠定坚实基础。通过合作开发模式，整合行业资源，加速技术成果转化，推动智能家电行业的技术进步和产业升级。