FLASH FPGA工艺平台

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高端仪器设备和工业母机
集成电路
技术领域:集成电路
榜单金额:面议
合作方式:合作开发
发布日期:20250701
截止日期:-
需求发布单位: 中国电子科技集团有限公司
关键词: FLASH  FPGA  工艺平台  0.13um  bitcell单元  双管FLASH  1.5V CMOS  3.3V CMOS  高压CMOS  抗辐射 

需求的背景和应用场景

在现代集成电路设计中,FPGA(现场可编程门阵列)以其高度的灵活性和可编程性,在通信、数据处理、工业控制等多个领域得到了广泛应用。然而,随着应用需求的不断增长,对FPGA的性能、功耗以及集成度提出了更高要求。特别是在航天、军事等特殊应用领域,对FPGA的抗辐射能力和数据存储可靠性有着极为严格的标准。当前市场上虽然存在多种FPGA解决方案,但在满足高性能、低功耗的同时,兼备抗辐射能力和可靠数据存储的方案仍较为稀缺。因此,我们提出了基于商用工艺线的0.13um FLASH FPGA工艺平台需求,旨在打造一个能够支持高性能、低功耗、抗辐射且具备可靠数据存储能力的FPGA解决方案。该工艺平台将主要应用于对可靠性、稳定性和性能要求极高的特殊领域,如航空航天、军事通信等,以解决现有FPGA方案在这些领域中的应用痛点。

要解决的关键技术问题

本技术需求的核心在于开发一个基于0.13um商用工艺线的FLASH FPGA工艺平台,该平台需集成以下关键技术点:

  1. FLASH bitcell单元设计:设计并提供高效的FLASH bitcell单元,作为FPGA编程和配置的基础,要求具有高可靠性、低功耗和快速读写能力。
  2. 双管FLASH结构设计:在FLASH bitcell单元基础上,开发应用于FLASH FPGA的双管FLASH结构,以提高数据存储的密度和可靠性,同时降低编程和擦除过程中的功耗。
  3. 多类型器件集成:工艺平台需集成1.5V/3.3V CMOS器件、高压CMOS器件以及FLASH器件,确保FPGA在不同电压环境下的稳定工作,并满足复杂应用场景的需求。
  4. 抗辐射CMOS器件设计:考虑到特殊应用领域的需求,CMOS器件需具备一定的抗辐射能力,确保在辐射环境下仍能保持稳定的性能。
  5. 工艺平台优化:对整个工艺平台进行优化,包括但不限于布局布线、信号完整性分析、功耗管理等,以确保FPGA的整体性能和可靠性。

效果要求

本技术需求旨在通过合作开发,实现以下效果:

  1. 高性能与低功耗:打造出的FLASH FPGA工艺平台应具备业界领先的性能指标,包括高速的逻辑处理能力、低功耗的待机和工作模式,以满足高性能计算和低功耗应用的需求。
  2. 高可靠性:通过优化FLASH bitcell单元设计和双管FLASH结构,提高数据存储的可靠性和稳定性,确保FPGA在恶劣环境下仍能正常工作。
  3. 抗辐射能力:CMOS器件的抗辐射设计将使得FPGA能够应用于航天、军事等辐射环境,拓宽其应用领域。
  4. 创新性:本技术需求的实施将推动FPGA技术的创新发展,特别是在特殊应用领域,将提供更为先进、可靠的解决方案。
  5. 竞争优势:通过合作开发,我们将能够快速响应市场需求,缩短产品开发周期,降低成本,从而在激烈的市场竞争中占据优势地位。

需求一种基于商用工艺线的0.13um FLASH FPGA工艺平台,提供FLASH的bitcell单元,可以在此基础上,开发应用于FLASH FPGA的双管FLASH结构。工艺平台具有1.5V/3.3V CMOS器件、高压CMOS器件、FLASH器件等,同时,CMOS器件应具有一定的抗辐射能力。

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