6英寸高性能SiC外延技术研究

需求的背景和应用场景

本技术需求源自一家国家认定的高新技术和集成电路生产企业，专注于高性能半导体材料的外延研发与生产。其产品，包括硅基外延片、氮化镓和碳化硅外延片，广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天等多个领域，对提升电子设备性能和能效具有重要意义。随着技术进步和市场需求的增长，6英寸高性能SiC外延技术成为公司研发的重点，以满足器件领域对高性能材料的需求。

要解决的关键技术问题

当前面临的主要技术挑战包括对外延缺陷的深入研究，识别并控制有害缺陷，以及研究缺陷诱生机理。这些缺陷直接影响材料性能和器件可靠性，因此，识别和控制这些缺陷对于推进碳化硅材料的国产化应用至关重要。此外，需要研制出满足器件应用要求的6英寸高性能SiC外延片，以实现产品的商业化和小批量出货。

效果要求

目标是开发出6英寸高性能SiC外延技术，实现对外延缺陷的有效控制，提高材料的国产化水平。最终产品需达到小批量出货的能力，满足器件领域的高性能要求，以支持公司在半导体材料领域的持续发展和市场竞争力。