氧化硅基的多台阶微纳结构的黄光工艺recipe

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高端仪器设备和工业母机
集成电路
技术领域:其他
榜单金额:面议
合作方式:技术或产品改造
发布日期:20241231
截止日期:-
需求发布单位: 南京波长光电科技股份有限公司
关键词: 氧化硅基  多台阶  微纳结构  黄光工艺  匀胶速率  显影速率  清洗速率  烘干时间  纳米压印 

需求的背景和应用场景

在当今的微纳加工领域,氧化硅基的多台阶微纳结构因其独特的光学、电学及机械性能,在集成电路、光电子器件、生物传感器以及微机电系统(MEMS)等方面展现出巨大的应用潜力。然而,传统加工方法往往难以精确控制结构的多台阶形貌,导致产品性能不稳定,且生产效率低下。特别是在黄光工艺环节,缺乏针对氧化硅材料特性的精准工艺配方(recipe),使得在匀胶、显影、清洗、烘干及纳米压印等关键步骤中,难以实现对多台阶微纳结构形状、尺寸及厚度的精确调控。因此,研发一套适用于氧化硅基材料的多台阶微纳结构黄光工艺recipe,对于提升微纳器件的性能稳定性、降低生产成本及推动相关产业的技术进步具有重要意义。

要解决的关键技术问题

本技术需求旨在解决氧化硅基多台阶微纳结构黄光工艺中的一系列关键技术问题,具体包括:

  1. 匀胶速率优化:研究不同转速、时间条件下,光刻胶在氧化硅表面的均匀涂覆效果,确定最佳匀胶速率,以确保后续工艺的顺利进行。
  2. 显影速率控制:探索显影液种类、浓度、温度及显影时间对氧化硅基微纳结构显影效果的影响,建立显影速率与结构尺寸之间的精确关系模型。
  3. 清洗速率与效率:研究高效且对氧化硅无损伤的清洗方法,包括清洗剂选择、清洗速率及清洗后残留物的控制,确保结构表面的清洁度。
  4. 冷热板烘干时间优化:分析烘干温度、时间及方式(如热风、真空等)对氧化硅基微纳结构形貌及性能的影响,确定最佳烘干条件。
  5. 纳米压印参数设定:研究压印压力、温度、时间及模具设计等参数对氧化硅基材料压印效果的影响,实现高精度、高保真度的微纳结构复制。
  6. 套刻参数优化:解决多层微纳结构套刻过程中的对准问题,通过优化套刻参数(如对准标记设计、曝光量等),提高套刻精度及成品率。
  7. 多台阶厚度与尺寸控制:根据应用需求,设计并优化不同台阶的厚度和尺寸,通过精确控制工艺参数,实现复杂多台阶微纳结构的精准制备。

效果要求

本技术需求期望通过研发氧化硅基的多台阶微纳结构黄光工艺recipe,达到以下效果:

  • 提高加工精度:实现微纳结构形状、尺寸及厚度的精确控制,提升产品的一致性和稳定性。
  • 增强性能表现:优化后的工艺应能显著提升氧化硅基微纳结构的光学、电学及机械性能,满足特定应用需求。
  • 降低成本:通过优化工艺参数,提高生产效率及成品率,降低生产成本。
  • 创新优势:形成具有自主知识产权的氧化硅基多台阶微纳结构黄光工艺recipe,提升企业在微纳加工领域的核心竞争力。
  • 广泛应用:该技术应具有良好的通用性和可扩展性,可广泛应用于集成电路、光电子器件、生物传感器及MEMS等多个领域,推动相关产业的技术升级和创新发展。

包括匀胶速率、显影速率、清洗速率、冷热板的烘干时间、纳米压印的参数、套刻参数以及不同台阶的厚度和尺寸对应的形状等。

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