💡这项突破是什么?
InP基单片光子集成可充分发挥InP材料的有源和高频性能而受到相干通信光收发、卫星通信载荷、射频前端等领域的追捧。然而现有的半导体激光器工艺是通过解离形成的腔面对受激辐射进行震荡放大。为满足InP基光子集成芯片的片上激光源需求，采用多深度刻蚀工艺一次完成波导与端面的制备，结合SiO₂钝化层与Au高反射膜，实现后端面大于97%前端面低于9%的反射率，在CW状态下获得与传统工艺相当的功率输出。
相关研究成果以Continuous-wave operation of InP laser with etched facet mirrors for photonic integrated circuits为题发表于 IEEE Photonics Technology Letters上。邢政为第一作者，孙天玉、张宝顺为通讯作者。
图3. (a)干法刻蚀端面激光器结构示意图；(b)AR端面SEM图；(c)HR端面SEM图；(d)刻蚀端面激光器与自然解理激光器性能对比
上述工作得到了国家重点研发计划等项目支持。
