💡这项突破是什么?
鳍宽精度控制，配合双自对准平面化技术精准构筑源漏接触区。最终器件在10 V工作电压下输出760 A/cm²的超高电流密度，比导通电阻仅4.3 mΩ·cm²，同时维持975 V击穿电压与0.22 GW/cm²的优异功率品质因数（PFOM），为数据中心电源及工业电机驱动芯片国产化奠定关键技术基础。
图4 最新垂直β-Ga2O3 MOSFET器件的Vbr与R(on,sp)性能对比图。
该成果以975V/4.3mΩ·c㎡ Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors为题发表在半导体领域国际会议9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2025，第一作者为中国科学院苏州纳米所郭高甫，通讯作者为张宝顺研究员和河南师范大学戴宪起教授。
上述工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、南昌重点实验室建设项目、江西省双千计划等项目支持，同时得到了中国科学院苏州纳米所纳米加工平台、测试平台、纳米器件研究部、纳米真空互联实验站（Nano-X）等部门大力支持。
