💡这项突破是什么?
图2.红光OLED性能
在器件应用方面，研究团队以BNNAP-tBuTRZ作为终端发光体，并采用热活化延迟荧光辅助磷光敏化技术（pTSF）技术构筑红光OLED。所得器件实现了峰值629 nm的超窄带纯红光发射，半峰宽仅31.9 nm（0.10 eV），色坐标CIE-x = 0.69，展现出优异的色纯度。同时，器件最大外量子效率（EQE）高达26.6%，最大功率效率达到33.8 lm W-1，是目前报道的性能最优的纯红光OLED之一（如图2）。该研究实现了红光OLED材料在超窄带发射、高色纯度、高效率与合成简便性方面的统一，相关材料和设计正与企业开展联合验证，有望为广色域OLED显示提供新的红光材料方案。该研究成果以“Ultra-Narrowband Pure-Red Multi-Resonance Emitters Enabled by Modular Synthesis via Chlorine-Oriented Double Borylation and Peripheral Extension”为题发表于《Advanced Functional Materials》，文章的第一作者为上海科技大学－福建物构所联培博士生胡嘉轩，通讯作者为卢灿忠研究员和陈旭林研究员。
文章链接：https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.76192
（卢灿忠课题组供稿）
