基于TiO2/BiOCl纳米晶的柔性神经微电极制备、界面调控和性能优化

20240117

制造业

2023科技重点项目

北京市教育委员会

三项成果实现转化，转化经费30万元：1）提供了一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法，其中，存储器包括：透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜；所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜丝网印刷于透明下电极层表面，然后与透明上电极层采用PDMS封装。本发明提供了一种可用于智能包装、柔性可穿戴设备和柔性生物芯片领域的柔性透明存储器，在光作用下，其电阻发生改变，可用作光信息存储器。在柔性基底上采用喷墨打印和丝网印刷技术等方法制作器件，能大幅度降低成本，具有大规模量产的前景；2）一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器及制备方法，所述电容传感器包括第一极板、第二极板及位于二者之间的温控型药物释放水凝胶薄膜；所述的第一极板和第二极板包括：柔性基底、所述柔性基底上的丝素蛋白薄膜层和所述丝素蛋白薄膜层上的石墨烯电极层；所述的温控型药物释放水凝胶薄膜为聚N-异丙基丙烯酰胺温敏薄膜。本发明提供一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器，环境温度变化时，利用温控型药物释放水凝胶薄膜的可收缩性对药物释放进行调节，进而电容器两极板间距发生变化，体现为电容改变；3）本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压 电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。