芯片制造中化学机械抛光(CMP)关键材料长期依赖进口,存在‘卡脖子’问题,限制了国产半导体材料自主可控及5G、人工智能等战略产业的升级发展。
通过创新性开发‘分子混合-平推流放大-智能调控’技术体系,突破传统沉淀法在宏量制备中存在的成核-生长耦合及尺寸不均等瓶颈,实现纳米氧化铈的晶型、粒径分布与类球型形貌的精准调控,并构建低成本、高一致性的纳米氧化铈制备技术及相应设备。
项目研发具备高潜力的工业化中试设备,形成2~4项国家发明专利,产品性能对标国际标杆企业(如Resonac、Merck KGaA等),打破国外技术垄断,预期实现抛光材料成本降低40%,为我国集成电路产业国产化提供关键材料支撑。
20260211
本项目针对芯片制造中化学机械抛光(CMP)关键材料长期依赖进口的“卡脖子”问题,聚焦于高精度纳米CeO₂抛光材料的国产化研发与产业化。通过创新性开发“分子混合-平推流放大-智能调控”技术体系,突破传统沉淀法在宏量制备中存在的成核-生长耦合及尺寸不均等瓶颈,实现了纳米氧化铈的晶型、粒径分布与类球型形貌的精准调控,构建起低成本、高一致性的纳米氧化铈制备技术及相应设备。项目实施期内将研发具备高潜力的工业化中试设备,形成2~4项国家发明专利,产品性能对标国际标杆企业(如Resonac、Merck KGaA等)。项目旨在打破国外技术垄断,推动国产半导体材料自主可控,助力5G、人工智能等战略产业升级,预期实现抛光材料成本降低40%,为我国集成电路产业国产化提供关键材料支撑。
