大范围 MEMS 波长可调谐面发射激光器的动态扫频特性研究

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光电子产业
新一代信息技术
集成电路
成果单位: 北京工业大学
合作方式: 技术入股
所处阶段: 概念
关键词: 气体检测OCT系统MEMS-VCSEL机械调谐外延结构DBR悬臂梁扫频特性非线性模型
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该成果得分:0

核心问题

传统激光器在波长调谐范围、扫频速率及检测灵敏度方面存在局限性,难以满足高精度气体检测及快速组织成像等应用场景对光源性能的严苛需求。

解决方案

本项目基于MEMS-VCSEL核心技术,通过研究MEMS微腔机械调谐与光腔模式耦合的内在机理,建立了电压—位移—波长的非线性关系模型,并验证了调谐腔体中光场分布、相位变化和模式跳变行为。器件结构采用GaAs/AlGaAs Half-VCSEL外延结构,结合中DBR与氧化限制层稳定加工技术,以及顶层TiO2/SiO2多层DBR悬臂梁结构(反射率>99.5%),实现了从外延到MEMS悬臂梁释放的全工艺流程打通。实验室样机测试表明,该器件在8 mA驱动下实现高纯度单模输出(边模抑制比>45 dB),连续调谐范围达31.8 nm,扫频速率100 kHz(潜力至MHz),阈值电流仅1 mA,功率输出稳定。

竞争优势

该成果在波长调谐范围(31.8 nm)、扫频速率(100 kHz,潜力至MHz)及检测灵敏度(>35 nm/RIU,分辨率<0.00057 RIU)方面显著优于传统技术,且已实现无选择性高灵敏气体检测(乙醇、丙醇、异丙醇等环境验证有效)及OCT系统组织成像验证。其全工艺流程可重复性良好,具备从科研样机向工程样机及中试验证转化的坚实基础,体现了原始创新的技术优势。

成果公开日期

20251129

所属产业领域

科学研究和技术服务业

转化现有基础

当前团队已具备激光器研发与测试所需的基础实验条件,包括洁净实验室、外延器件基础加工平台、光谱测试系统、电光调制测试平台以及光学成像实验环境,能够承担原型样机研发、调试与小批量验证。但成果进一步转化为可工程化、可量产的产品,需要合作方在经费、工艺能力及生产环境方面给予支持。 在资金方面,成果工程化需要投入一定规模的研发经费,用于 MEMS-VCSEL 工艺中试验证、DBR 结构量产工艺稳定性评估、封装工艺开发、高频驱动控制模块研制以及长期可靠性测试,包括晶圆代工费用、器件批量试制费用、封装验证费用,以及面向应用场景(如 OCT、气体检测)的示范系统搭建。资金需求预计在数百万元规模,具体可按阶段划分为样机优化、中试验证和产品化三个阶段。 在场地与设备需求方面,团队现阶段具备科研实验室条件,可充分支撑样机研发。但是若要实现批量化生产,需要合作方提供或协调使用具备 MEMS 与光电子器件量产能力的生产环境,如更高等级的晶圆制造洁净室、工艺质量控制平台、批量封装与老化测试设备等。同时,量产阶段需要具备高精度光谱测试平台、大功率老化验证系统、扫频性能自动测试线等工程化测量手段,以保障器件批次一致性和可靠性指标满足产业应用需求。综合而言,团队在研发阶段具有独立完成能力,而向产业化过渡需要合作方在生产平台、工艺资源和工程化资金等方面提供支持。

转化合作需求

该成果在可调谐激光器、医疗成像、环境监测和光通信等领域具有广阔的应用前景,其转化预计将带来显著经济和社会效益。在经济效益方面,MEMS-VCSEL 具有结构简单、低功耗、高调谐效率、可批量制造等优势,契合当前光医疗设备国产化、激光雷达轻量化、光通信高速化的发展趋势。可调谐 VCSEL 属于价值量高的核心光源,目前长期依赖进口,因此该成果具备国产替代潜力,可形成系列化产品,包括高速扫频光源、可调谐窄线宽激光器、气体传感激光模块、光谱检测组件等,有望进入 OCT 医疗影像、智能驾驶、环境监测、精密测量等亿元级细分市场。随着量产推进,器件成本将明显低于进口方案,可提升国内产业链竞争力,并带来可观的专利授权和产品销售收入。 在社会效益方面,该成果突破了可调谐 VCSEL 长期被国外垄断的核心技术瓶颈,将有望推动光电子器件自主可控体系建设,提升相关行业的核心装备国产化水平。其在医疗成像中的应用可降低 OCT 设备成本,提高基层医疗可及性;在环境监测与气体探测领域,可提升监测灵敏度与可靠性,有助于工业安全、公共健康及碳排监测;在智能制造与精密测量中,可提升装备智能化与精确控制能力。此外,成果转化还能带动光电子、MEMS、医疗设备等产业链上下游联动发展,促进高端制造业升级与创新人才培养,对区域科技创新和产业竞争力提升具有积极推动作用。

转化意向范围

可国(境)内外转让

项目名称

北京市自然科学基金本科生“启研”计划

项目课题来源

北京市科学技术委员会;中关村科技园区管理委员会

摘要

本项目基于 MEMS-VCSEL核心技术,已完成从理论模型、仿真分析到实验室样机的完整研发流程,技术成熟度处于实验室验证阶段,具备进一步工程化的坚实基础。研究已明确了 MEMS 微腔机械调谐与光腔模式耦合的内在机理,建立了电压—位移—波长的非线性关系模型,并验证了调谐腔体中光场分布、相位变化和模式跳变行为。器件结构方面,GaAs/AlGaAs Half-VCSEL 外延结构、中 DBR 与氧化限制层均已实现稳定加工,顶层 TiO??/SiO?? 多层 DBR 悬臂梁结构成功制备,反射率超过 99.5%,整体工艺流程从外延、台面加工、氧化、绝缘层沉积、电极制作、PI 牺牲层构筑到 MEMS 悬臂梁释放均已打通,可重复性良好。 实验室样机测试表明,该器件在 8 mA 驱动下实现高纯度单模输出,边模抑制比超 45 dB,连续调谐范围达 31.8 nm,扫频速率达到 100 kHz,具有向 MHz 扫频提升的潜力;阈值电流仅 1 mA,功率输出稳定。在气体检测应用中,基于微腔折射率变化实现对气体无选择性高灵敏检测,灵敏度超过 35 nm/RIU,分辨率优于 0.00057 RIU,已在乙醇、丙醇、异丙醇等环境条件中验证有效。同时,该可调谐光源已在 OCT 系统中实现组织成像验证。总体而言,该成果已具备典型的科研样机成熟度,关键性能稳定且可量化,可作为工程样机和中试验证的技术基础。

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