InP6尺寸长晶研究
市场需求增加:随着光电、通信、红外探测等领域的快速发展,对磷化铟单晶材料的需求不断增加。然而,由于技术瓶颈和产能限制,目前市场上高质量磷化铟单晶材料的供应相对紧张。
产能规模较小:国内企业在磷化铟单晶生长技术方面与国际水平仍存在较大差距,产能规模较小,难以满足市场需求。尤其是大尺寸磷化铟晶片的生产能力不足,限制了其在高端领域的应用。
目前遇到的技术瓶颈:成晶率低:由于熔体表面及固液界面通常暴露于高压气体中,高压气体的强烈对流会影响到固液界面,从而导致成晶率降低。晶形控制:生长的晶锭往往呈现“D”形,这种形状在后续的加工过程中需要被加工成圆形晶棒,这会造成材料的浪费,并增加加工难度。位错与缺陷:在晶体生长过程中,由于温度梯度、压力变化等因素,容易产生位错、包裹体等缺陷,这些缺陷会严重影响晶体的性能。
预期及技术指标:1.长晶方式VB/VGF 2.可长出4”6”<100><111><110>InP单晶; 3.位错密度:n型≤5000EA/cm2,p型≤500EA/cm2 4.截流子浓度:(0.8-3)*1018EA/cm3 5.电子迁移率:n型1000-2500cm2/v.s,p型50-100cm2/v.s。
金额 200 万
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求