面向1nm制程的二维半导体材料与集成电路
联系合作
集成电路
前沿新材料
成果单位: 北京科技大学
合作方式: 面议
所处阶段: 其他
关键词: 1nm制程二维半导体集成电路先进制程芯片二硫化钼高迁移率晶体管Pseudo-CMOS低静态功耗
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北京科技大学前沿交叉科学技术研究院,由张跃院士领衔,在面向先进制程二维半导体材料与器件基础理论、制备技术和集成工艺等方面做出了系统性、创新性贡献;团队承担了科技部、国家自然科学基金委员会、JKW、教育部等科技攻关项目75项,项目总经费达10.88亿元;牵头组织了北京大学、清华大学、南京大学、复旦大学、湖南大学、香港科技大学、国家纳米科学中心、中国科学院物理所和化学所等国内一流研究团队,率先开展了面向先进制程二维半导体材料与器件的前沿基础研究,提出了与硅基工艺兼容的二维半导体材料技术路线,建立了面向1nm先进制程的二维半导体材料发展规划蓝图,初步完成了该技术路线实验室验证工作;出版了全球首部系统阐述二维半导体材料及其范德华异质结基础与应用的英文专著;在Nature、Nature Mater.、Nature Nanotech.、Nature Electron.等期刊发表学术论文450余篇;授权中国专利100余项,美国专利1项;出版中文专著8部、英文专著5部;以第一完成人获国家自然科学二等奖1项、省部级科技成果一等奖3项、省部级教学成果一等奖2项。

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