高折射率光学树脂材料技术开发旨在解决当前纳米压印光刻(NIL)及卷对卷(R2R)工艺中,对高性能光学树脂材料的需求痛点。特别是在32nm以下工艺节点的芯片制造中,传统光学材料因折射率不足,难以满足高精度图案转移的要求,限制了NIL技术在更先进制程中的应用。
本项目通过无机纳米粒子与光学树脂的精密配方设计,结合先进的材料制备与测试技术,开发出适用于NIL及R2R工艺的高折射率光学树脂材料。技术原理在于利用纳米粒子的光学特性,有效提升树脂材料的折射率,同时保持材料的加工性能和稳定性。技术架构涵盖纳米填料设计、树脂配方优化、材料制备与表征、工艺可行性验证及储存稳定性研究等多个环节。关键技术点在于纳米粒子与树脂基体的均匀分散与界面控制,以及材料在NIL工艺中的适应性优化。
该技术成果具备显著的创新性和实用性,不仅突破了传统光学树脂材料在折射率方面的限制,还优化了材料在NIL及R2R工艺中的加工性能,为实现更高分辨率的芯片制造提供了可能。相较于现有技术,本项目开发的高折射率光学树脂材料具有成本低、效率高、适合工业化生产的优势,有望在未来半导体制造领域发挥重要作用。此外,该技术成果处于小试阶段,已初步验证其可行性和稳定性,为后续量产技术评估奠定了坚实基础。
20221021
科学研究和技术服务业
与拟合作方形成互信、互利的产学研联合体,促进我校科研成果转化,为甲方提供技术储备和技术支撑。为加速我校技术成果的转化,甲方作为我校新产品、新工艺的中试和产业化基地,承担可以做到的中试任务。关于中试场地,如若我校有成熟设备,可自行开展,提交技术交底书,如若我校无相关设备,或不适用于甲方技术目标,甲方应尽可能提供必要的中试场地及设备,以便顺利完成中试,开展产业化生产。且甲方有明确对接人,实时沟通技术开发内容及进展。根据转让模式、技术指标的难易程度,转让范围,排他条款等具体情况等,另行约定技术合同及其合同金额。甲乙双方参与项目的组成人员应对以下内容保密:技术开发试验方案与产品、服务内容相关标准操作规程、分析报告等资料或物品。保密期限:长期。未经披露方事先书面同意,接收方不得以任何形式向任何第三方披露。接收方应采取必要河里的措施保护披露方的保密信息。 为保证项目顺利实施,甲方还需提供如下条件或资料: 1)甲方人员研发环境,以及乙方人员到甲方现场沟通交流、测试环境; 2)项目研发所需要的基础树脂及相关的技术资料; 3)根据交付的材料进行工艺验证并输出验证结果。 其他需求根据具体情况,另行协商确定。
可国(境)内外转让
北京市科技成果转化平台建设(高校院所技术转移能力建设)
北京市科学技术委员会;中关村科技园区管理委员会
基于我校无机纳米粒子及光学树脂配方设计、生产、检测等技术,与合作单位共同开发适用于NIL及R2R工艺的高折射率光学树脂材料。NIL(纳米压印光刻)技术是在一个特殊的“印章”上,先刻上纳米电路图案,然后再将电路图案“压印”在晶圆上,就像盖章一样。目前,NIL被当作一种刻画32nm以下工艺芯片电路的替代方法。由于NIL没有镜头,相比EUV要更加经济。由于NIL采用的是机械复制,可以排除光学衍射的影响,理论上可以实现比光刻更高的分辨率,而且它的成本比EUV要低很多。随着日企在该项技术的发展,我国许多半导体科研机构均加入了NIL设备的研发当中,这对于全球半导体产业的发展,确实起到了至关重要的作用。该技术将微电子加工工艺融合于印刷技术中,解决了光学曝光技术中光衍射现象造成的分辨率极限问题,因此理论上具备比光刻更高的分辨率,可生产出电路线宽更窄的器件。除此之外,高效率、低成本、适合工业化生产等优势,也使得纳米压印技术一直受到业界的重视,被称为是微纳加工领域中第三代最有前景的光刻技术之一。 本项目基于合作单位提供的基础树脂材料,开发纳米填料及树脂配方设计、制备、测试表征、初步的工艺可行性验证和树脂材料储存稳定性研究,并开展量产可行性技术评估。
